磁電子材料與器件研究組

       存儲器是現代信息技術的核心和基石之一。開(kāi)發(fā)基于新原理、新結構、新材料的新型高性能(néng)存儲器，有利于信息技術的發(fā)展和進(jìn)步。阻變存儲器（RRAM）是基于電緻阻變效應而提出的一種(zhǒng)新型存儲技術，其工作核心是通過(guò)器件電阻狀态的精準調控實現信息的編碼與存儲。我們一直圍繞阻變存儲器中納米導電通道(dào)和界面(miàn)結構的可控構建與有效調控等關鍵和共性基礎科學(xué)問題開(kāi)展工作，重點緻力于利用電、光、磁、力等多物理場對(duì)器件電阻狀态進(jìn)行精确調控的新方法及相關物理機制研究，探索實現器件多值化、功能(néng)化和柔性化的有效途徑，從而推動信息技術發(fā)展過(guò)程中所面(miàn)臨的摩爾定律極限以及馮·諾依曼瓶頸等問題的解決，也爲柔性可穿戴電子技術發(fā)展提供重要支撐。

      該方向(xiàng)以阻變存儲器爲基礎，通過(guò)多種(zhǒng)物理場調控器件内部離子/原子的遷移、分布、電荷以及磁矩等狀态，使器件阻值發(fā)生非易失性且可逆變化，揭示相關物理規律和機制，并探索其在柔性電子學(xué)、人工智能(néng)等新興領域的潛在應用。主要研究内容包括： 

    （1）器件内部的離子/原子狀态在多種(zhǒng)物理場作用下的演化過(guò)程及機制； 

    （2）器件内部的離子/原子狀态對(duì)器件宏觀電輸運特性的影響規律及機制；

    （3）柔性/彈性阻變存儲材料與器件的制備及性能(néng)優化；

    （4）類腦神經(jīng)形态阻變材料與器件的設計、制備及應用。