林文文，博士生導師，現任中國(guó)科學(xué)院甯波材料技術與工程研究所項目研究員。2001年9月-2005年6月在重慶大學(xué)獲得材料化學(xué)工學(xué)學(xué)士學(xué)位；2005年9月-2010年6月在中科院福建物質結構研究所師從黃豐研究員，獲得凝聚态物理理學(xué)博士學(xué)位；同年留組工作，從事(shì)強脈沖中子輻射探測用英寸級氧化鋅單晶的産業化生長(cháng)技術開(kāi)發(fā)。自2013年12月在美國(guó)西北大學(xué)化學(xué)系開(kāi)展博士後(hòu)工作，合作導師爲Mercouri G. Kanatzidis教授，從事(shì)室溫核輻射探測單晶新材料和器件的研究；自2017年7月在美國(guó)阿貢國(guó)家實驗室材料科學(xué)部擔任研究助理，從事(shì)高産率、高性能(néng)和大尺寸的新一代核輻射探測用單晶材料的産業化技術研究；

自2021年2月至今，作爲“團隊人員”被(bèi)引進(jìn)到中科院甯波材料所，任項目研究員。相關研究成(chéng)果以第一作者在J. Am. Chem. Soc., Adv. Func. Mater., ACS Photonics，Adv. Mater.等國(guó)際期刊上發(fā)表，并申請5項關于核輻射探測單晶新材料研究的美國(guó)專利。

研究方向(xiàng)：

主要爲半導體物理、半導體器件、晶體生長(cháng)、核輻射防護，具體包括：

1.      高質量、大尺寸的半導體單晶生長(cháng)産業化技術；

2.      半導體材料中的載流子輸運和缺陷調控的研究；

3.      核輻射探測半導體新材料和器件；

4.      醫療成(chéng)像用閃爍體單晶新材料；

5.      半導體材料深度提純和深能(néng)級鈍化技術開(kāi)發(fā)。

招生專業：材料物理與化學(xué)

E-mail：linwenwen@nimte.ac.cn

辦公室：材料所C樓510室

代表性論文：

(1)  Wenwen Lin, et al, Mercouri G Kanatzidis, Cu₂I₂Se₆: A Metal–Inorganic Framework Wide-Bandgap Semiconductor for Photon Detection at Room Temperature, Journal of the American Chemical Society 2018, 140, 1894-1899.

(2) Wenwen Lin; ; Mercouri G. Kanatzidis*; Inorganic Halide Perovskitoid TlPbI3 for Ionizing Radiation Detection, Advanced Functional Materials, 2021, 2006635: 1-11.

(3) Wenwen Lin, et al,, Mercouri G Kanatzidis, TlSn₂I₅, a Robust Halide Antiperovskite Semiconductor for γ-Ray Detection at Room Temperature, ACS Photonics 2017, 4, 1805-1813.

(4) Wenwen Lin, et al,, Mercouri G Kanatzidis, TlSbS₂: a Semiconductor for Hard Radiation Detection, ACS Photonics 2017, 4, 2891-2898.

(5) Wenwen Lin, et al, Mercouri Kanatzidis, Ultralow Thermal Conductivity, Multiband Electronic Structure and High Thermoelectric Figure of Merit in TlCuSe, Advanced Materials, 2021, 23, 2104908.

代表性專利：

(1) 發(fā)明人：Mercouri G. Kanatzidis, Bruce W. Wessels, Zhifu Liu and Wenwen Lin, 專利名稱：Inorganic Ternary Halide Semiconductors for Hard Radiation Detection，美國(guó)，專利申請号： PCT/US2017/043193. 申請日期：2017年7月。

(2) 發(fā)明人：Mercouri G. Kanatzidis and Wenwen Lin, 專利名稱：Copper Halide Chalcogenide Semiconductor Compounds for Hard Radiation Detection. 美國(guó)，專利申請号：PCT/US2018/042251. 申請時間：2017年7月。

(3) 發(fā)明人：Wenwen Lin，Mercouri G. Kanatzidis, Duck Young Chung, 專利名稱：XXX Doped Cesium and Rubidium Lead Perovskite Compounds for Hard Radiation Detection . 美國(guó)，專利申請号：US63020176.申請時間：2020年5月。

(4) 發(fā)明人：Mercouri G. Kanatzidis，Wenwen Lin,  專利名稱：Method For Purifying an Inorganic Material Using a Tube Having a Bend Between a First End and A Second End of the Tube. 美國(guó)，專利申請号：17/341,899. 申請時間：2021年5月。

（5）發(fā)明人：Mercouri G. Kanatzidis， Wenwen Lin，專利名稱：Methods for the Synthesis, Purification and Crystal Growth of Inorganic Crystals for Hard Radiation Detectors，美國(guó)，專利号PCT/US2017/048653，授權時間：2019年5月。